또한 실리콘으로 만들어진 실리콘 웨이퍼는 넓은 Energy Band gap(1.2eV)을 가지고 있기 때문에 비교적 고온(약 200℃ 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있습니다. 모래에서 추출된 실리콘은 정제과정을 거쳐 고순도 다결정 실리콘으로 형성되고 이를 단결정 실리콘 웨이퍼로 제조하여 DRAM, ASIC, TR, MOSFET, CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 Device를 만드는데 이용됩니다. 이들 Device는 오늘날 산업분야 전체에서 없어서는 안될 중요한 부품들로 각종 전자제품, 사업 전동화 기계, 컴퓨터, 인공위성 등에 쓰이고 있습니다. 반도체 소자가 고집적화 될수록 반도체 소자의 수율 및 품질에 미치는 원재료 특성의 민감도가 점차 커지고 있습니다. 일반적으로 웨이퍼는 중심에서 가장자리까지 COP, FPD, OiSF, LDP (이론상 존재함)의 품질특성(결정결함)이 순차적으로 나타나고 있으며, 이는 소자 수율 및 품질에 영향을 미치는 것으로 확인되고 있습니다. 무결함 실리콘(SD) 웨이퍼는 결정 결함을 완전히 제거시킴과 동시에 웨이퍼 중심에서 가장자리까지 품질균일도를 대폭 개선한 새로운 개념의 실리콘 웨이퍼입니다.